三宅 雅保 | NTT LSI研究所

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著作論文

• 0.5μmバイポーラデバイス : SST1C
• 堆積時に窒素をドープしたa-Siを用いたポリバッファLOCOS技術工程が単純で将来の微細化に対応できる分離技術
• クォーターミクロンCMOSに適用した銅配線プロセス評価及びその電気特性への影響
• 堆積時に窒素をドープしたa-Siを用いたポリバッファLOCOS技術(2)
• 堆積時に窒素をドープしたa-Siを用いたポリバッファLOCOS技術
• 浅溝分離0.2μmCMOSと超低電力分周器への応用
• 窒素ドープ層を有するP^+ポリSiゲート電極技術のサブ1/4μm異極ゲートCMOSへの適用
• 全層SOR露光による超微細MOSIC (SOR発光技術)
• Siにイオン注入されたほう素の拡散現象

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