中山 諭 | NTT LSI研究所

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概要

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• 中山 諭

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• 猪川 洋

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• 三宅 雅保

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著作論文

• 完全空乏型CMOS/SIMOX素子の低電圧・低消費電力型VLSI構成要素としての優位性
• 堆積時に窒素をドープしたa-Siを用いたポリバッファLOCOS技術工程が単純で将来の微細化に対応できる分離技術
• 堆積時に窒素をドープしたa-Siを用いたポリバッファLOCOS技術(2)
• 堆積時に窒素をドープしたa-Siを用いたポリバッファLOCOS技術
• 窒素ドープ層を有するP^+ポリSiゲート電極技術のサブ1/4μm異極ゲートCMOSへの適用
• TEOS/O_3常圧CVD法によるシリコン酸化膜の成膜過程
• 多結晶Si中の窒素の拡散およびpoly-Si/SiO_2界面での窒素の偏析

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