中山 諭 | Nttシステムエレクトロニクス研究所

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• 中山 諭

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• 中山 諭

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• 猪川 洋

  NTT LSI研究所

• 三宅 雅保

  NTT LSI研究所

• 岡崎 幸夫

  Ntt Lsi研究所

• 小林 敏夫

  Ntt Lsi研究所

• 小林 敏夫

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• 三宅 雅安

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• 酒井 徹志

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• 前田 正彦

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• 中山 諭

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• 榊原 裕

  通信・放送機構兵庫リサーチセンタ

• 井野 正行

  Nttエレクトロニクステクノロジー

• 竹谷 健

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• 町田 克之

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• 榊原 裕

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• 山田 宏

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• 門 勇一

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• 中嶋 定夫

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著作論文

• 完全空乏型CMOS/SIMOX素子の低電圧・低消費電力型VLSI構成要素としての優位性
• 堆積時に窒素をドープしたa-Siを用いたポリバッファLOCOS技術工程が単純で将来の微細化に対応できる分離技術
• 堆積時に窒素をドープしたa-Siを用いたポリバッファLOCOS技術(2)
• 堆積時に窒素をドープしたa-Siを用いたポリバッファLOCOS技術
• 窒素ドープ層を有するP^+ポリSiゲート電極技術のサブ1/4μm異極ゲートCMOSへの適用
• MOSデバイス中の可動イオンを不活性化する紫外線照射の効果
• 緩衝弗酸によるCVD酸化膜のエッチング機構
• TEOS/O_3常圧CVD法によるシリコン酸化膜の成膜過程
• 多結晶Si中の窒素の拡散およびpoly-Si/SiO_2界面での窒素の偏析
• 窒素ドープSi層を有するp^+ polySiゲート

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