窒素ドープSi層を有するp^+ polySiゲート
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概要
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ディープサブミクロン領域のデュアルゲートCMOSFETで必要なp^+ゲート電極として、ボロンドープpolySiから酸化膜を通しての基板へのボロン拡散を抑制できる新しいゲート電極構造を検討した。新しいゲート電極では、ボロンドープpolySi, SiO_2間に薄い窒素ドープSi層を設けた。この窒素ドープSi中のボロンの拡散係数は通常のpolySi中の拡散係数に比べ約一桁小さく、ボロンのゲート酸化膜突き抜けを抑制できる。新しいゲート電極を有するゲート酸化膜厚3.5nmのMOSダイオードを評価した結果、熱処理温度にして50C程度のプロセスマージンが得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-07-25
著者
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