多結晶Si中の窒素の拡散およびpoly-Si/SiO_2界面での窒素の偏析
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概要
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多結晶Si膜中に添加された窒素の熱処理による再分布とpoly-Si/SiO2界面での偏析について調べた。800℃以上の熱処理で、多結晶Si中の窒素は拡散し、酸化膜界面と表面に偏析する。窒素濃度がある閾値以上の場合には、一部の窒素は拡散しない。この閾値濃度は多結晶Siの結晶粒径に依存している。多結晶Siと酸化膜との界面に偏析する窒素量は限られており、その量は多結晶Si膜中の初期の窒素濃度には依存せず、熱処理温度にのみ依存する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-05-23
著者
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