堆積時に窒素をドープしたa-Siを用いたポリバッファLOCOS技術

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
LOCOS(LOCal Oxidation of Silion)技術は20年以上に渡って、LSIの主要素子分離技術の座を占めている。LSIの微細化に伴い種々の改良技術が提案されているが、簡便さと安定性から今だに使用され続けている。今のところ、簡便で効果があるという観点から、通常LOCOS技術に置き換わり得る技術は、唯一ポリバッファLOCOS(PBL) 技術のみである。しかしながら、PBL技術も実用技術となる前に解決されるべき問題が幾つか残っている。今回、我々はバッファ層として使用されているアンドープPoly-Siの換わりに堆積時に窒素を添加したa-Siを用いる技術を開発し、これらの問題を解決したので報告する。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-03-27

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク