堆積時に窒素をドープしたa-Siを用いたポリバッファLOCOS技術(2)
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概要
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次の実用素子分離技術として期待されているポリバッファLOCOS(PBL)技術には、分離端の形状が凸凹になる、時として基板にマイクロトレンチが形成される等の問題点がある。我々は、この欠点を解決したNPBL(Nitrogen in-situ doped PBL)開発した。今回、NPBL技術はパタン変換差、分離特性の面でも従来PBL技術と比較して勝れていることを報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
三宅 雅保
NTT LSI研究所
-
猪川 洋
NTT LSI研究所
-
中山 諭
NTT LSI研究所
-
岡崎 幸夫
Ntt Lsi研究所
-
小林 敏夫
Ntt Lsi研究所
-
小林 敏夫
Ntt Lsi研
-
三宅 雅安
NTT LSI 研究所
-
中山 諭
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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