緩衝弗酸によるCVD酸化膜のエッチング機構
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概要
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微小なコンタクトホールのRIE加工後クリーニングの高精度制御を実現するため、緩衝弗酸による各種シリコン酸化膜のウェットエッチング速度を調べた。エッチング速度は、熱酸化膜やECR-CVD酸化膜では比較的低く、APCVD,LPCVD,PCVD酸化膜ではドーピングの有無にかかわらず比較的高い。エッチング速度の弗酸濃度依存性は、高エッチング速度膜では非線形であり、低エッチング速度膜では線形となる。これは、緩衝弗酸のエッチングにおいて、高エッチング速度膜ではHFが、低エッチング速度膜ではHF_2^-がエッチングに寄与している主な反応種であることを示唆している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-08-17
著者
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