MOSデバイス中の可動イオンを不活性化する紫外線照射の効果
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概要
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MOSデバイス中の可動イオンに対する紫外線照射の効果を調べた。MOSデバイスの多結晶シリコンゲートを設けた後の配線工程中で故意にナトリウムを混入させて試料とした。アルミニウムパッドを形成した後で、加熱しつつ紫外線(波長領域240-370nm)を照射した。能動MOSトランジスタ、寄生MOSトランジスタともに、ナトリウム混入でシフトした閾値電圧が、紫外線照射により本来の値に戻った。シリコン酸化膜中の正電荷のナトリウムイオンが、紫外線照射で励起された電子によって中和されたものと推測される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-26
著者
-
町田 克之
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
高橋 淳一
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
中山 諭
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
逸見 学
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
秋谷 秀夫
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
吉野 秀男
NTTエレクトロニクス(株)
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