SIMOX基板の重金属汚染分析方法の検討
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概要
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SIMOX基板の重金属汚染について原子吸光法と全反射蛍光X線法を用いて検討した。表面Si層の重金属汚染を評価する方法として、ウェットエッチングでSi層を薄層化した後にECRプラズマで酸化膜を形成し、この酸化膜を気相分解して原子吸光分析する方法を検討した。この分析方法によって、表面Si層で微量のFeを検出することができた。また、全反射蛍光X線法を用いてSIMOX基板中のCuを分析し、埋込み酸化膜下のシリコン基板中にCuが存在する場合があることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
小舘 淳一
Ntt Lsi研究所
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町田 克之
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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町田 克之
NTT LSI研究所
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今井 和雄
NTT LSI研究所
-
田中 真紀子
NTTアドバンステクノロジ(株)
-
籔本 周邦
NTT境界領域研究所
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