ポリサイドゲート電極でのECR窒素プラズマによる拡散バリヤ層SiNの形成技術
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概要
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ポリサイドゲート電極での簡便な拡散バリヤ層の形成技術について報告する。窒素ガスのみから生成したECR窒素プラズマによりポリシリコン表面を窒化することにより、膜厚が非常に薄いシリコン窒化層を短時間で形成できる。この窒化層は、ポリシリコンからシリサイドへの不純物拡散の良好なバリヤ層として機能すること、十分な導電性を有すること、MOS界面特性に重大な支障を及ぼさないこと、が明らかとなった。本技術は、簡易な手法であるとともに、ULSI構造の従来プロセスとの親和性が良いので、コスト増加の小さい新規異極ポリサイドゲート形成技術として有用である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-07-26
著者
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