今井 和雄 | NTT LSI研究所

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概要

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関連著者

• 今井 和雄

  NTT LSI研究所

• 佐藤 芳之

  Ntt Lsi研究所

• 町田 克之

  Nttシステムエレクトロニクス研究所

• 町田 克之

  NTT LSI研究所

• 荒井 英輔

  NTT LSI研究所

• 田沢 聰

  Ntt Lsi研究所

• 小舘 淳一

  Ntt Lsi研究所

• 鴨志田 和良

  Ntt Lsi研究所

• 佐久間 一人

  NTT LSI研究所

• 落合 克幸

  Ntt Lsi研究所

• 細矢 徹夫

  NTT LSI研究所

• 田中 真紀子

  NTTアドバンステクノロジ(株)

• 籔本 周邦

  NTT境界領域研究所

• 海野 秀之

  NTT LSI研究所

• 今井 和雄

  NTTLSI研

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著作論文

• ECR O_2プラズマを用いたシリコンコンタクト表面清浄化の検討
• SOI構造における酸化膜/シリコン界面への燐のパイルアップ現象とnウェル濃度シミュレーション
• ポリサイドゲート電極でのECR窒素プラズマによる拡散バリヤ層SiNの形成技術
• 酸化膜/シリコン界面での燐のパイルアップ現象の解析とnウェル濃度シミュレーション
• SIMOX基板の重金属汚染分析方法の検討
• 0.5ミクロンBiCMOS LSI用デバイス技術 (0.5ミクロンBiCMOSゲ-トアレイ設計・製造技術)
• アクティブ層にエッチストップ層を用いた薄膜SOI形成プロセス
• LSIプロセスを追う:視覚化のためのコンピューターシミュレーション
• 半導体A(シリコン)

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