SOI構造における酸化膜/シリコン界面への燐のパイルアップ現象とnウェル濃度シミュレーション
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概要
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薄層SOI構造中のnウェル濃度が、表面酸化膜, シリコン層の界面に生じる燐のパイルアップ現象によって、大幅に減少することを示した。燐濃度は、1μmのSOI構造では工程初期の値の80%に減少するのに対して、0.1μmのSOI構造ではこれが30%にまで減少することを、想定した工程に基づいて示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-13
著者
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