アクティブ層にエッチストップ層を用いた薄膜SOI形成プロセス
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概要
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貼り合わせ技術を用いた薄膜SOI形成プロセスを提案する。本プロセスはシングルエッチストップ法であり、エッチストップ層をアクティブ層として用いる。エッチストップ層中のボロンは高温水素処理によって低減する。従って、エピ成長工程が不要であり、高価な専用装置も必要としないため、低コストでSOI基板の形成が可能である。本方法を用いて、膜厚100nm、ボロン濃度4×10^<16>cm^<-3>の薄膜SOI基板を形成することができた。エッチストップ後のSOI膜の膜厚均一性(σ)は5〜10nmである。また、水素処理によりシリコン膜の表面ラフネスも改善され、Rms値で0.2〜0.3nmと良好な値が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
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