酸化膜/シリコン界面での燐のパイルアップ現象の解析とnウェル濃度シミュレーション

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概要

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酸化膜, シリコン界面の燐のパイルアップ現象と、それがnウェルドーピング濃度にいかに影響するかについて述べる。まず、パイルアップが酸化膜/シリコン界面の酸化膜側に位置することを明らかにする。次に、パイルアップ量をシリコン表面の燐濃度と温度の関数として求めた結果を述べる。さらに、パイルアップ層が繰り返し除去されることによって、nウェル濃度が減少する様子を例示したnウェルプロセスにそって説明する。
社団法人電子情報通信学会の論文
1993-09-16

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