ECR O_2プラズマを用いたシリコンコンタクト表面清浄化の検討

概要

論文の詳細を見る
LSIの微細化に伴い、コンタクト径の微細化が進む中でコンタクト抵抗の低減化および安定化が要求されている。本報告では、p+シリコンコンタクト特性の安定化を図るために、コンタクトホールエッチング後の簡便なシリコンコンタクト表面の清浄化法を提案し、検討した結果について述べる。清浄化法はドライエッチング後のシリコンコンタクト表面をECR酸素プラズマにより酸化し、ウエットエッチングする簡便な方法である。本方法を用いることによりXPSとSIMSの分析結果から、コンタクトホールのドライエッチング後のシリコンコンタクト表面の汚染が除去できることを確認した。さらに、本清浄化処理をしたコンタクトシリコン表面はベアシリコン表面に回復することを明確にした。p^+シリコンコンタクト不安定性は分析結果に示すように弗素汚染に起因しており、ECR酸素プラズマによるシリコン表面の酸化は弗素汚染層の除去に有効な方法であり、p^+コンタクト特性の安定化と低抵抗化が可能である。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-08-18