層間絶縁膜がMOSFETの信頼性に与える影響 : ホットキャリア耐性と層間絶縁膜との関係
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概要
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VLSIの多層配線用層間絶縁膜として使われるSOG膜やTEOS-O3酸化膜中からの水分は、MOSFETのホットキャリア劣化を増速させるためデバイスの信頼性上重大な問題となる。この問題を解決するためには、下層への水分の拡散を防止すると同時に上層への水分の透過性を考慮することが重要である。水分を含んだ層間絶縁膜の上層に薄いECR-SiO2膜あるいはプラズマTEOS酸化膜を用い、膜堆積後アニールを行うことにより、SOG膜やTEOS-O3酸化膜中の水分が減少することが明かとなった。この結果を用い、水分を含む膜の上層にプラズマTEOS膜を、下層には水分拡散抑制効果の高いECR-SiO2膜を堆積することにより、ホットキャリア耐性の改善ができることを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-10-15
著者
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町田 克之
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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町田 克之
NTT LSI研究所
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生津 英夫
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
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高橋 庸夫
NTT LSI研究所
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下山 展弘
NTT LSI研究所
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生津 英夫
NTT LSI研究所
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峯岸 一茂
NTTエレクトロニクステクノロジー
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高橋 庸夫
Ntt基礎研
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生津 英夫
Ntt 物性科学基礎研
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