Siナノデバイスにおける構造サイズ揺らぎの定量評価
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概要
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SIMOX基板上にEB露光技術を用いて形成したナノ構造のサイズ揺らぎを、Si層膜厚の揺らぎ(垂直方向)、及び、パターン幅の揺らぎ(水平方向)に分けてAFMにより定量的に評価した。SIM OX基板のSi膜厚揺らぎは、高温長時間アニールにより標準偏差でlnm以下に低減できる。一方、レジストパターン幅揺らぎは3nm程度あり、膜厚揺らぎに比べて大きい。この揺らぎはナノ構造を利用して作製したSi-SETの電気特性の揺らぎから推定される構造サイズ揺らぎとも良く一致しており、パターン幅揺らぎが支配的であると結論出来る。さらに、この揺らぎはレジスト膜中の20-30nmの大きさの粒状構造に由来することも明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-04-25
著者
-
村瀬 克実
NTT物性科学基礎研究所
-
石山 俊彦
Ntt Lsi研究所
-
永瀬 雅夫
Ntt物性科学基礎研究所
-
生津 英夫
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
-
栗原 健二
NTTアドバンステクノロジ株式会社
-
高橋 庸夫
NTT LSI研究所
-
村瀬 克実
NTT LSI研究所
-
永瀬 雅夫
NTT LSI研究所
-
生津 英夫
NTT LSI研究所
-
栗原 健二
NTT LSI研究所
-
牧野 孝裕
NTT LSI研究所
-
高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
-
永瀬 雅夫
Ntt 物性科学基礎研
-
生津 英夫
Ntt 物性科学基礎研
-
栗原 健二
Ntt Lsi研
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