極薄SIMOX-Si層エッジからのSiO_2障壁を介した電子トンネル
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概要
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Siにおいて1次元サブバンド構造を観測することを目的に、5nm厚のSIMOX-Si層、そのエッジに形成されたトンネル酸化膜(エッジ酸化膜)、および、エッジ酸化膜を覆う多結晶Si電極を有する横型MOSトンネル素子を作製した。この素子を用いて、Si層エッジからの電子放出によるトンネル電流を42Kで測定し、電流電圧特性に多重ステップ構造を観測した。トンネル電流の基板電圧依存性および測定温度依存性から、Si層エッジにはバンドの曲がりにより電子が蓄積され、多重ステップ構造はエッジに形成された1次元サブバンドの離散準位を反映していることが強く示唆された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-04-25
著者
-
小野 行徳
NTT物性科学基礎研究所
-
村瀬 克実
NTT物性科学基礎研究所
-
小野 行徳
Ntt Lsi研究所
-
田部 道晴
Ntt Lsi研究所:静岡大学
-
堀口 誠二
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
-
堀口 誠二
Ntt Lsi研究所
-
高橋 庸夫
NTT LSI研究所
-
村瀬 克実
NTT LSI研究所
-
高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
-
堀口 誠二
NTT LSI研:MIT
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