田部 道晴 | Ntt Lsi研究所:静岡大学
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
田部 道晴
Ntt Lsi研究所:静岡大学
-
影島 博之
Ntt Lsi研
-
村瀬 克実
NTT物性科学基礎研究所
-
高橋 庸夫
NTT LSI研究所
-
村瀬 克実
NTT LSI研究所
-
小野 行徳
Ntt Lsi研究所
-
藤原 聡
NTT LSI研究所
-
小野 行徳
NTT物性科学基礎研究所
-
堀口 誠二
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
-
堀口 誠二
Ntt Lsi研究所
-
高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
-
堀口 誠二
NTT LSI研:MIT
著作論文
- 極薄SIMOX-Si層エッジからのSiO_2障壁を介した電子トンネル
- Si-SETにおける孤立Si島への単電子メモリ効果
- Si-SETにおける孤立Si島への単電子メモリ効果
- 半導体表面の測定技術[v・完] : 原子間力顕微鏡法 (AFM),その他の測定技術
- 半導体表面の測定技術[iv] : ラマン分光法 (RS),走査トンネル顕微鏡法 (STM)
- 半導体表面の測定技術[3] : 全反射蛍光X線分析法 (TXRF),ラザフォード後方散乱法 (RBS)
- 半導体表面の測定技術[2] : オージェ電子分光法 (AES),X線光電子分光法 (XPS)
- 2次イオン質量分析法 (SIMS) (半導体表面の測定技術 1.概要)
- Si(111)7×7表面の熱酸化初期過程
- 30a-H-2 O/Si(111)表面の電子状態とSTM(II)
- 28a-Y-4 Si(111)酸化初期表面のSTM/STSに関する理論