高橋 庸夫 | 北海道大学情報科学研究科

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概要

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• 北海道大学情報科学研究科の論文著者

関連著者

• 高橋 庸夫

  北海道大学情報科学研究科

• 高橋 庸夫

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• 高橋 庸夫

  北大

• 藤原 聡

  Ntt物性科学基礎研究所

• 高橋 庸夫

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 小野 行徳

  NTT物性科学基礎研究所

• 高橋 庸夫

  NTT物性基礎研

• 高橋 庸夫

  東北大・工

• 高橋 庸夫

  日本確信電話(株)ntt物性科学基礎研究所

• 有田 正志

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 猪川 洋

  静岡大学電子工学研究所

• 猪川 洋

  静岡大学 電子工学研究所

• 永瀬 雅夫

  Ntt物性科学基礎研究所

• 永瀬 雅夫

  Ntt 物性科学基礎研

• 小野 行徳

  Ntt

• 永瀬 雅夫

  NTT物性基礎研

• 村瀬 克実

  NTT物性科学基礎研究所

• 開澤 拓弥

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 藤原 聡

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 山崎 謙治

  NTT物性科学基礎研究所

• 高橋 庸夫

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 影島 博之

  NTT物性基礎研

• 西口 克彦

  NTT物性科学基礎研究所

• 西口 克彦

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 白石 賢二

  筑波大学物理学系

• 堀口 誠二

  日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所

• 白石 賢二

  筑波大物理

• 平山 祥郎

  東北大理:erato-jst

• 猪川 洋

  Ntt物性研

• 栗原 健二

  NTTアドバンステクノロジ株式会社

• 浜田 弘一

  北大 工

• 高品 圭

  バース大物理

• 白石 賢二

  NTT物性科学基礎研究所

• 堀口 誠二

  NTT物性科学基礎研究所

• 曹 民圭

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 栗原 健二

  NTT物性科学基礎研

• 生津 英夫

  日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所

• 浜田 弘一

  北海道大学エネルギー変換マテリアル研究センター

• 生津 英夫

  Ntt 物性科学基礎研

• 篠原 迪人

  北海道大学院情報科学研究科

• 平山 祥郎

  NTT物性基礎研

• 高品 圭

  NTT物性科学基礎研究所

• 小野 行徳

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 猪川 洋

  日本電信電話(株)lsi研究所

• 高品 圭

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 平山 祥郎

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 雨宮 好仁

  北海道大学 大学院 情報科学研究科

• 雨宮 好仁

  北海道大学情報科学研究科

• 生津 英夫

  NTT物性科学基礎研究所

• 雨宮 好仁

  北海道大学 情報科学研究科

• 植松 真司

  NTT物性科学基礎研究所

• 道田 典明

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 浜田 弘一

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 高橋 庸夫

  NTT LSI研究所

• 村瀬 克実

  NTT LSI研究所

• 有田 正志

  北大情報科学

• 浜田 弘一

  北大情報科学

• 高橋 庸夫

  北大情報科学

• 植松 真司

  慶応義塾大学大学院理工学研究科

• 深津 茂人

  Ntt物性科学基礎研究所

• 堀越 佳治

  早稲田大学理工学部

• 劉 冠廷

  早稲田大学大学院電気工学専攻

• 堀越 佳治

  早稲田大学大学院電気工学専攻

• 加藤 勇樹

  北海道大学院情報科学研究科

• 三上 圭

  北海道大学院情報科学研究科

• 伊藤 公平

  慶応大理工

• 小野 崇人

  東北大学

• 足立 智

  北海道大学大学院工学研究科

• 高村 禅

  北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科

• 新宮原 正三

  関西大学大学院工学研究科

• 小田 俊理

  東工大量子ナノエレ研セ

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所

• 高村 禅

  北陸先端大院・マテリアルサイエンス

• 高村 禅

  北陸先端科学技術大学院大学

• 浦岡 行治

  奈良先端大

• 羽根 一博

  東北大学

• 一木 隆範

  東大院・工・バイオエンジニアリング

• 平本 俊郎

  東大

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所:mirai-selete

• 福井 孝志

  北海道大学情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター

• 小田 俊理

  東工大工

• 小田 俊理

  東工大量子ナノ研:sorst-jst

• 小田 俊理

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• ODA Shunri

  Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology

• 松井 真二

  兵庫県立大高度研

• 森 伸也

  阪大院工

• 森 伸也

  阪大工

• 菅原 陽

  北海道小樽工業高等学校

• 植村 哲也

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 菅原 広剛

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 葛西 誠也

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 松田 健一

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 佐藤 威友

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 辰巳 哲也

  ソニー(株)半導体事業本部セミコンダクターテクノロジー開発部門

• 辰巳 哲也

  技術研究組合 超先端電子技術開発機構 プラズマ技術研究室

• 菅原 広剛

  北海道大学

• 鳥海 明

  東大

• 金田 千穂子

  富士通研

• 小田中 紳二

  阪大

• 宮崎 誠一

  広大院先端研

• 太田 剛

  NTT物性基礎研

• 太田 剛

  SORST-JST

• 金田 千穂子

  富士通研究所

• 窪田 悟

  成蹊大学 理工学部

• 石山 俊彦

  Ntt Lsi研究所

• 石田 誠

  豊橋技科大

• 井谷 俊郎

  Selete

• 上野 和良

  芝浦工大

• 坂本 邦博

  産総研

• 芝原 健太郎

  広大

• 須田 良幸

  農工大

• 久本 大

  日立

• 廣瀬 和之

  宇宙研

• 水野 文二

  UJTラボ

• 須田 良幸

  農工大・工

• 小野 行徳

  Ntt Lsi研究所

• 野本 弘平

  三菱電機株式会社デザイン研究所

• 一木 隆範

  東洋大学・工

• 新宮原 正三

  関西大

• 井谷 俊郎

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

• 鳥海 明

  東大・物工

• 鳥海 明

  東大院工

• 田部 道晴

  Ntt Lsi研究所:静岡大学

• 堀口 誠二

  Ntt Lsi研究所

• 辰巳 哲也

  ソニー

• 高村 禅

  北陸先端大

• ブルン マークオレル

  SORST-JST

• モード ダンカン

  LCMI-CNRS

• 森 伸也

  阪大

• 植村 哲也

  「応用物理」編集委員会

• 小野 崇人

  東北大学大学院工学研究科

• 野本 弘平

  三菱電機デザイン研究所

• 小田 俊理

  東工大

• 野本 弘平

  山形大学

• 野本 弘平

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 羽原 亮

  成蹊大学

• 植村 哲也

  Nec基礎研究所、システムデバイス・基礎研究本部

• 永瀬 雅夫

  日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所

• 福井 孝志

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 野本 弘平

  山形大学 大学院 理工学研究科

• 窪田 悟

  成蹊大学理工学部

• 羽原 亮

  成蹊大学理工学部

• 山川 正樹

  ルネサステクノロジ

• 城戸 恵美子

  三菱電機株式会社 デザイン研究所

• 中村 芳知

  三菱電機先端技術総合研究所

• 城戸 恵美子

  三菱電機デザイン研究所

• 中村 芳知

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 伊藤 公平

  慶應義塾大学理工学部物理情報工学科

• 足立 智

  北大 大学院工学研究科

• Sato T

  Hokkaido Univ. Sapporo Jpn

• Hane Kazuhiro

  Department Of Mechatronics & Precision Engineering Tohoku University

• Hane Kazuhiro

  Faculty Of Engineering Tohoku University

• 井谷 俊郎

  Nec

• 首藤 登志夫

  北大

• Hiramoto Toshirou

  Device Development Center Hitachi Ltd.

• Hiramoto Toshiro

  The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

• Hiramoto T

  Univ. Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo

• 宮崎 誠一

  広大

• 松井 真二

  兵庫県立大

• 永瀬 雅夫

  NTT LSI研究所

• 広瀬 龍介

  北海道大学大学院工学研究科

• 広瀬 龍介

  北大工(院)

• 道田 典明

  北大情報科学

• Oda S

  Tokyo Inst. Technology Tokyo Jpn

• Oda S

  Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn

• Oda Shunri

  Quantum Nanoelectronics Research Center Tokyo Institute Of Technology

• Oda Shunri

  Research Center For Quantum Effect Electronics And Department Of Physical Electronics Tokyo Institut

• Oda Shunri

  The Graduate School At Nagatsuta Tokyo Institute Of Technology

• 首藤 登志夫

  首都大学東京

• 生津 英夫

  NTT LSI研究所

• Sato Taketomo

  Graduate School Of Electronics And Information Engineering And Research Center For Integrated Quantu

• Sato Taketomo

  Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc

• 栗原 健二

  NTT LSI研究所

• 牧野 孝裕

  NTT LSI研究所

• 一木 隆範

  東大

• 一木 隆範

  東京大学大学院工学系研究科バイオエンジニアリング専攻

• 山川 正樹

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 小野 崇人

  東北大

• 羽根 一博

  東北大学大学院

• 深津 茂人

  慶應義塾大学理工学部

• Hiramoto Toshiro

  The Authors Are With Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:the Author Is With Vlsi

• 小田 俊理

  東京工業大学総合理工学研究科

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo

• 首籐 登志夫

  武蔵工業大学工学部

• Shudo Toshio

  Department Of Energy Science And Engineering Musashi Institute Of Technology

• 野本 弘平

  三菱電機株式会社電子システム研究所

• 野本 弘平

  東北大学

• 野本 弘平

  三菱電機(株)鎌倉製作所

• Sato Taketomo

  Hokkaido Univ. Sapporo Jpn

• 一木 隆範

  東大 大学院工学系研究科

• 葛西 誠也

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• 羽根 一博

  東北大学大学院工学研究科

• 栗原 健二

  Ntt Lsi研

• 一木 隆範

  東京大学 大学院工学系研究科 バイオエンジニアリング専攻

• 中村 芳知

  三菱電機株式会社デザイン研究所

• 首藤 登志夫

  Tokyo Metropolitan University

• 植村 哲也

  北大 大学院情報科学研究科

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著作論文

• 平成20年度リフレッシュ理科教室開催報告-サイエンスオリエンテーリング2008 in 札幌- : 北海道支部・北海道大学会場
• 磁束と電荷を結ぶ新しい機能デバイスの開拓 : 電気回路のための第4の基本素子とは(機能ナノデバイス及び関連技術)
• Si細線に作製したダブルドット単電子トランジスタの特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算器動作(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• シリコン・ナノワイヤーMOSFETを利用した室温動作可能な単一電子デバイス(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• Siナノドットアレイを用いた多入力単電子デバイス(量子ナノと情報処理機能,量子効果デバイス及び関連技術)
• シリコン相補型単電子インバーター : V-PADOX法による作製とその特性評価
• 単電子デバイス用Siナノ構造の酸化
• シリコン技術
• パーマロイ薄膜における磁化リップルと磁気抵抗効果(薄膜)
• MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 : SOIを用いた素子作製と特性評価(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
• 20aYC-4 シリコン二次元電子系における占有率4の倍数に沿った抵抗のリッジ(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価(量子効果デバイス及び関連技術)
• シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価
• 単電子の転送と検出デバイス
• 単電子トランジスタとMOSトランジスタを組み合わせた多値論理ならびに記憶回路
• 単電子トランジスタとMOSトフンジスタを組み合わせた多値論理ならびに記憶回路
• 平均画像レベル,観視者の年齢,照明環境を考慮した液晶ディスプレイの輝度制御に関する研究(ヒューマンインフォメーション,ITS画像処理,映像メディア,一般)
• Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算器動作(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• Siナノドットアレイを用いた多入力単電子デバイス(量子ナノと情報処理機能,量子効果デバイス及び関連技術)
• Si細線に作製したダブルドット単電子トランジスタの特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 量子ドットアレイを用いた多機能デバイスの特性シミュレーション(多量量子ドットと機能性)
• 量子ドットアレイを用いた多機能デバイスの特性シミュレーション(多量量子ドットと機能性)
• シリコン・ナノワイヤーMOSFETを利用した室温動作可能な単一電子デバイス(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 : SOIを用いた素子作製と特性評価(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
• ダブルゲートMOSFETにおける谷と空間的サブバンドの制御 : シリコン量子井戸の電子状態(Functional Devices and Circuits, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• ダブルゲートMOSFETにおける谷と空間的サブバンドの制御 : シリコン量子井戸の電子状態(Functional Devices and Circuits, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価(量子効果デバイス及び関連技術)
• シリコンナノ構造でのパターン依存酸化現象の観察
• 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
• 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
• 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
• パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
• 極薄SIMOX-Si層エッジからのSiO_2障壁を介した電子トンネル
• Si単電子トランジスタの電圧利得と抵抗負荷型擬似nMOSインバータの性能解析
• Si単電子トランジスタの電圧利得と抵抗負荷型擬似nMOSインバータの性能解析
• パーマロイ薄膜の磁気抵抗効果と磁区のその場観察
• Feナノ微粒子系におけるコンダクタンス量子化のTEM内その場計測
• 27pXC-8 TEMを用いたナノ微粒子の伝導特性評価に関する研究(結晶成長・微粒子,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 磁束と電荷を結ぶ新しい機能デバイスの開拓 : 電気回路のための第4の基本素子とは(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 単電子デバイスを用いたSi集積回路
• 新原理デバイスの今後の展開 : Beyond CMOS の可能性
• 次世代LSIデバイス・プロセス技術の課題と展望 : 特集号によせて
• シリコン相補型単電子インバーター : V-PADOX法による作製とその特性評価
• 単電子デバイス用Siナノ構造の酸化
• 工学部における2007年度FD
• Siナノデバイスにおける構造サイズ揺らぎの定量評価
• SiO_2中の拡散に与えるSi/SiO_2界面の影響
• 13pYB-6 シリコン二次元電子系のランダウ準位交差における抵抗スパイク(量子ホール効果, 領域 4)
• 28pYG-1 量子ホール領域におけるSIMOX MOSFETの温度と磁場依存性(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
• 21pTL-6 SIMOX MOSFET 中量子井戸の二次元電子系 : 谷分離と二層系
• パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
• Si酸化膜中におけるB拡散とSi自己拡散の相関(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Si細線における単一電荷の検出と操作
• シリコン細線MOS構造における素電荷の検出と転送
• SC-9-5 シリコン系量子効果デバイスと単電子デバイスの進展
• シリコン細線MOS構造における素電荷の検出と転送
• Si単電子トランジスタにおける光照射による単一キャリアトラップ生成と電気伝導特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
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• 単電子CCDで電子1個を操作--その意味と意義とは?
• シリコン紬線MOS構造における素電荷の検出と転送
• 単電子パストランジスタ論理を用いた半加算器動作の実証
• 単電子パストランジスタ論理を用いた半加算器動作の実証
• シリコン系量子効果デバイスと単電子デバイス (特集:Siナノデバイス)
• MgF_2/Feナノドット/MgF_2薄膜における電気伝導特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• MgF_2/Feナノドット/MgF_2薄膜における電気伝導特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性(機能ナノデバイス及び関連技術)

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