山崎 謙治 | NTT物性科学基礎研究所
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概要
関連著者
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山崎 謙治
NTT物性科学基礎研究所
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高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
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藤原 聡
Ntt物性科学基礎研究所
-
小野 行徳
NTT物性科学基礎研究所
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永瀬 雅夫
NTT物性基礎研
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栗原 健二
NTT物性科学基礎研
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永瀬 雅夫
Ntt物性科学基礎研究所
-
栗原 健二
NTTアドバンステクノロジ株式会社
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永瀬 雅夫
Ntt 物性科学基礎研
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開澤 拓弥
北海道大学大学院情報科学研究科
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有田 正志
北海道大学大学院情報科学研究科
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高橋 庸夫
北海道大学大学院情報科学研究科
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猪川 洋
静岡大学電子工学研究所
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高橋 庸夫
NTT物性基礎研
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高橋 庸夫
北大
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高橋 庸夫
北海道大学 大学院情報科学研究科
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有田 正志
北海道大学大学院 情報科学研究科
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猪川 洋
静岡大学 電子工学研究所
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小野 行徳
Ntt
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曹 民圭
北海道大学大学院情報科学研究科
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生津 英夫
NTT物性科学基礎研究所
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村瀬 克実
NTT物性科学基礎研究所
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高橋 庸夫
東北大・工
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生津 英夫
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
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高橋 庸夫
日本確信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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生津 英夫
Ntt 物性科学基礎研
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尾嶋 正治
東大工
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小野 寛太
東大工
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山田 素久
東大院工
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山田 素久
東大工
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小野 寛太
総研大・高エ研
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尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科
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山口 徹
NTT物性科学基礎研
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竹中 久貴
NTT-AT
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竹中 久貴
Ntt-a
著作論文
- Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算器動作(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- Siナノドットアレイを用いた多入力単電子デバイス(量子ナノと情報処理機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- 24aE-8 ナノスケール磁性ドットアレイの作製と磁気特性
- シリコン相補型単電子インバーター : V-PADOX法による作製とその特性評価
- 単電子デバイス用Siナノ構造の酸化
- Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算器動作(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- Siナノドットアレイを用いた多入力単電子デバイス(量子ナノと情報処理機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- 未来を拓く先端技術 電子ビームリソグラフィを用いた3次元ナノ加工
- シリコン相補型単電子インバーター : V-PADOX法による作製とその特性評価
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