猪川 洋 | 静岡大学電子工学研究所
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概要
関連著者
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猪川 洋
静岡大学電子工学研究所
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猪川 洋
静岡大学 電子工学研究所
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藤原 聡
Ntt物性科学基礎研究所
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高橋 庸夫
北海道大学 大学院情報科学研究科
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高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
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小野 行徳
NTT物性科学基礎研究所
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高橋 庸夫
北大
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小野 行徳
Ntt
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高橋 庸夫
北海道大学大学院情報科学研究科
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西口 克彦
NTT物性科学基礎研究所
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西口 克彦
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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猪川 洋
Ntt物性研
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開澤 拓弥
北海道大学大学院情報科学研究科
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有田 正志
北海道大学大学院情報科学研究科
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藤原 聡
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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山崎 謙治
NTT物性科学基礎研究所
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高橋 庸夫
東北大・工
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高橋 庸夫
日本確信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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有田 正志
北海道大学大学院 情報科学研究科
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佐藤 弘明
静岡大学電子工学研究所
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猪川 洋
日本電信電話(株)lsi研究所
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高橋 庸夫
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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佐藤 弘明
静岡大学 電子工学研究所
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曹 民圭
北海道大学大学院情報科学研究科
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小野 行徳
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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川久保 謙
静岡大学電子工学研究所
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小野 篤史
静岡大学電子工学研究所
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平山 祥郎
NTT物性基礎研
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高品 圭
NTT物性科学基礎研究所
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平山 祥郎
東北大理:erato-jst
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高橋 庸夫
NTT物性基礎研
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太田 剛
NTT物性基礎研
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太田 剛
SORST-JST
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ブルン マークオレル
SORST-JST
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モード ダンカン
LCMI-CNRS
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高品 圭
バース大物理
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小野 篤史
静岡大学 若手グローバル研究リーダー育成拠点
著作論文
- ナノメータMOSFETにおける容量パラメータの直接測定
- Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算器動作(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- シリコン・ナノワイヤーMOSFETを利用した室温動作可能な単一電子デバイス(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- Siナノドットアレイを用いた多入力単電子デバイス(量子ナノと情報処理機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- ナノビジョンサイエンス-画像技術の新展開-, 三村秀典,原和彦,川人祥二,青木徹,廣本宣久(共著), コロナ社, 2009-04, A5判, 定価(本体3,400円+税)
- CT-1-7 単電子デバイス(CT-1.CMOSを越える革新デバイスの現状と展望,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
- MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 : SOIを用いた素子作製と特性評価(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
- 未来を拓く先端技術 シリコン単電子デバイス集積化の最近の展望
- 20aYC-4 シリコン二次元電子系における占有率4の倍数に沿った抵抗のリッジ(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価
- 単電子の転送と検出デバイス
- 単電子トランジスタとMOSトランジスタを組み合わせた多値論理ならびに記憶回路
- 単電子トランジスタとMOSトフンジスタを組み合わせた多値論理ならびに記憶回路
- Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算器動作(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- Siナノドットアレイを用いた多入力単電子デバイス(量子ナノと情報処理機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- シリコン・ナノワイヤーMOSFETを利用した室温動作可能な単一電子デバイス(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 : SOIを用いた素子作製と特性評価(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- 表面プラズモンを利用した光検出器の性能向上
- 表面プラズモンを利用したSOIフォトダイオードの高性能・高機能化(ナノフォトニクス・プラズモニクスおよびイメージセンサ一般)
- 表面プラズモンを利用したSOIフォトダイオードの高性能・高機能化