MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 : SOIを用いた素子作製と特性評価(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
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概要
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MOSFET技術で作製した室温で動作する単一電子転送素子と高感度電荷検出素子の複合デバイスについて報告する.転送素子は直列に接続された2つの細線FETで構成され、各FETを交互に開閉することで単一電子が電子蓄積部へと転送される。ハーフピッチ50nmの作製技術とバイアス条件の最適化により室温での単一電子転送が可能となった.また、微小チャネルを有する電荷検出用FETを電子蓄積部に近接して配置することで単一電子検出が可能となり、室温で0.005e/〓Hz@2Hzという高感度を得ることに成功した。高速な電子転送と長い電子保持を生かした応用例も示す.
- 2006-01-19
著者
-
藤原 聡
Ntt物性科学基礎研究所
-
小野 行徳
NTT物性科学基礎研究所
-
西口 克彦
NTT物性科学基礎研究所
-
猪川 洋
静岡大学電子工学研究所
-
西口 克彦
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
-
高橋 庸夫
北大
-
猪川 洋
Ntt物性研
-
高橋 庸夫
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
-
猪川 洋
静岡大学 電子工学研究所
-
小野 行徳
Ntt
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