パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性(機能ナノデバイス及び関連技術)

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概要

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• 単電子トランジスタ(SET)は、低消費電力で動作するデバイスとして知られているが、その高速動作性に関しては、十分調べられていない。SETのドレイン電極に交流電圧を印加すると、クーロンダイヤモンドの非対称性から整流作用を示すことが知られている。本研究では、ドレイン電極に高周波電圧を印加した際のこの整流作用を用いて、シリコンSETの高周波特性を評価できることを明らかにしたので報告する。

• 2012-01-31

著者

• 藤原 聡

  Ntt物性科学基礎研究所

• 有田 正志

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 高橋 庸夫

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 高橋 庸夫

  東北大・工

• 高橋 庸夫

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• 高橋 庸夫

  日本確信電話(株)ntt物性科学基礎研究所

• 高橋 庸夫

  北海道大学情報科学研究科

• 篠原 迪人

  北海道大学院情報科学研究科

• 竹中 浩人

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 内田 貴史

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 篠原 迪人

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 有田 正志

  北海道大学大学院 情報科学研究科

• 内田 貴史

  北海道大学大学院 情報科学研究科

• 竹中 浩人

  北海道大学大学院 情報科学研究科

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