Siナノドットアレイを用いた多入力単電子デバイス(量子ナノと情報処理機能,量子効果デバイス及び関連技術)
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概要
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多数のナノドットを配列した単電子デバイスを提案した.複数ゲートと電流振動特性という単電子デバイスの特徴を利用して高い機能性を持たせ,ドットサイズのばらつきを克服することを考えた.実際にSiナノドットアレイにインプットゲートとコントロールゲートを取り付けたデバイスを作製し,基本動作を確かめた.コントロールゲート電圧を変更することにより6種類の主要な論理関数を得ることができることを示し,論理関数が選択可能なデバイスであることを確認した.
- 2007-01-25
著者
-
藤原 聡
Ntt物性科学基礎研究所
-
小野 行徳
NTT物性科学基礎研究所
-
開澤 拓弥
北海道大学大学院情報科学研究科
-
有田 正志
北海道大学大学院情報科学研究科
-
高橋 庸夫
北海道大学大学院情報科学研究科
-
猪川 洋
静岡大学電子工学研究所
-
山崎 謙治
NTT物性科学基礎研究所
-
高橋 庸夫
北大
-
高橋 庸夫
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
-
有田 正志
北海道大学大学院 情報科学研究科
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