シリコン細線MOS構造における素電荷の検出と転送
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概要
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シリコン細線をチャネルとしたMOS構造において、単正孔の保持と検出及びその転送を温度25Kで実現し、シリコンにおける初めての素電荷操作に成功した。作製した構造は、SOI基板上の近接した2個のシリコン紬線MOSFETから構成される、いわば超小型の電荷結合素子(CCD)であり、両チャネル間の単正孔の転送が可能となる。単正孔の存在の保持と検出には、シリコン細線に印加した基板垂直方向の電界により、保持正孔とそれを検出する電子電流を空間的に分離し、それぞれを上下のSi/SiO_2界面に局在させるという、新しい電子正孔共存系を利用した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-05-18
著者
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