高橋 庸夫 | NTT物性基礎研
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概要
関連著者
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高橋 庸夫
NTT物性基礎研
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高橋 庸夫
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藤原 聡
Ntt物性科学基礎研究所
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永瀬 雅夫
NTT物性基礎研
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北大
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NTT物性基礎研
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NTT物性科学基礎研究所
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小野 行徳
NTT物性科学基礎研究所
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白石 賢二
NTT物性科学基礎研究所
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日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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NTT物性科学基礎研究所
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生津 英夫
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
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植松 真司
慶応義塾大学大学院理工学研究科
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深津 茂人
Ntt物性科学基礎研究所
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堀越 佳治
早稲田大学理工学部
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生津 英夫
Ntt 物性科学基礎研
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劉 冠廷
早稲田大学大学院電気工学専攻
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堀越 佳治
早稲田大学大学院電気工学専攻
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阿山 みよし
宇都宮大学大学院工学研究科
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伊藤 公平
慶応大理工
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田中 秀和
阪大産研
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大沢 通夫
富士電機アドバンストテクノロジー(株)
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小池 洋二
東北大工
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秋永 広幸
産総研ナノ機能合成プロ
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安藤 康夫
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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宮崎 照宣
東北大学原子分子材料科学高等研究機構(WPI)
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吉田 隆
名大工
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斗内 政吉
阪大超伝導フォトニクス
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安藤 康夫
東北大工
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竹田 美和
名大工
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向田 昌志
山形大学工学部
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川瀬 晃道
理化学研究所
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川瀬 晃道
理研
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尾崎 雅則
阪大院・工
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尾崎 雅則
阪大・工
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和田 隆博
龍谷大理工
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木村 英樹
東海大学
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猪川 洋
静岡大学電子工学研究所
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山本 公
アルバック・ファイ(株)
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秋永 広幸
産総研
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財満 鎭明
名古屋大学大学院工学研究科
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毛塚 博史
東京工科大
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三木 一司
物材機構
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勝山 俊夫
東大生研ナノエレ連携研
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八井 浄
長岡技術科学大学極限エネルギー密度工学研究センター
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進藤 春雄
東海大
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田村 收
産総研
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伊藤 雅英
筑波大
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馬場 俊彦
横国大
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藤田 安彦
都立工業高専
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小笠原 宗博
東芝研開セ
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筒井 哲夫
九大院総理工
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小川 真一
松下電器半導体社
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粟野 祐二
富士通研
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藤田 静雄
京大国際融合創造セ
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脇坂 健一郎
三洋電機
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佐藤 芳之
NTT-AT
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白井 肇
埼玉大
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林 康明
京都工繊大工芸
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岡本 隆之
理研
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梶川 浩太郎
東工大
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財満 鎭明
名大
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影島 愽之
NTT物性科学基礎研究所
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鳥海 明
東大
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金田 千穂子
富士通研
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川田 善正
静岡大
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山本 哲也
高知工大
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酒井 朗
名大院工
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櫻庭 政夫
東北大通研
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中川 清和
山梨大工
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梶川 靖友
島根大総理工
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竹田 美和
名大院工
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小田中 紳二
阪大
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田中 三郎
豊橋技大
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王 鎮
情報通信研究機構
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芝山 敦史
ニコン
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佐波 俊哉
KEK
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栖原 敏明
阪大
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宮崎 照宣
東北大院工
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安藤 康夫
東北大院工
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松本 仁
防衛大材料
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鵜殿 治彦
茨城大工
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末益 崇
筑波大物理工
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鈴木 恒則
東海大理
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喜岡 俊英
東理大工
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福井 孝志
北大量集センタ
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岡田 勝行
物材機構
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尾松 孝茂
千葉大
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栗村 直
物材機構
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松尾 二郎
京大
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藤原 巧
長岡技科大
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白谷 正治
九大院システム情報
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向田 昌志
山形大
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三木 一司
電総研
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酒井 朗
大阪大学
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太田 剛
NTT物性基礎研
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太田 剛
SORST-JST
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尾崎 雅則
大阪大学
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金田 千穂子
富士通研究所
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宮崎 照宣
東北大工
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林 康明
京都工芸繊維大学大学院
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松尾 二郎
京都大学工学研究科附属量子理工学研究実験センター
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鈴木 恒則
東京工科大学
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藤田 安彦
東京都立産業技術高等専門学校
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山本 哲也
東京都立産業技術高等専門学校
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栗村 直
独立行政法人物質・材料研究機構光材料センター
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阿山 みよし
宇都宮大学・院・工
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田中 三郎
豊橋技術科学大学
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松尾 二郎
京大院工
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鳥海 明
東大・物工
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鳥海 明
東大院工
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猪川 洋
Ntt物性研
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白井 肇
埼玉大学大学院 理工学研究科 機能材料工学専攻
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川田 善正
静岡大学 工学部
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尾松 孝茂
千葉大学大学院自然科学研究科
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尾松 孝茂
千葉大学
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木村 英樹
東海大学大学院総合理工学研究科
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ブルン マークオレル
SORST-JST
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モード ダンカン
LCMI-CNRS
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八井 浄
長岡技術科学大学 極限エネルギー密度工学研究センター
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栖原 敏明
大阪大学大学院工学研究科
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林康 明
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
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白谷 正治
九大
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岡田 勝行
千葉大工
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鈴木 恒則
東海大学理学部
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Tanaka S
Superconducting Sensor Laboratory Itami Laboratory
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Yatsui K
Technological Univ. Nagaoka Nagaoka Jpn
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Yatsui Kiyoshi
Laboratory Of Beam Technology Department Of Electrical Engineering Nagaoka University Of Technology
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林 康明
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
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伊藤 雅英
筑波大物理工
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田村 收
産総研 計測標準研究部門
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大沢 通夫
富士電機アドバンストテクノロジー
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末益 崇
筑波大
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馬場 俊彦
横浜国立大学工学研究院
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脇坂 健一郎
三洋電機(株)md技開センターbu
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福井 孝志
北海道大学大学院情報科学研究科
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三木 一司
物材機構ナノマテ:産総研ナノテク
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三木 一司
物材・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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三木 一司
産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究センター
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三木 一司
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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三木 一司
(独)物質・材料研究機構 ナノ有機センター
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三木 一司
(独)物質・材料研究機構ナノ有機センターナノアーキテクチャーグループ
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財満 鎭明
名大院工
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中川 清和
山梨大大学院
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進藤 春雄
東海大 工
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梶川 浩太郎
東工大・工
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藤田 静雄
京大国際融合総合センタ
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藤田 静雄
京大 国際融合創造セ
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松本 仁
防衛大学校
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影島 愽之
Ntt物性基礎研
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伊藤 公平
慶應義塾大学理工学部物理情報工学科
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Hayashi Yutaka
Device Synthesis Section Electrotechnical Laboratory
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木村 英樹
東海大
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Hayashi Y
Ricoh Co. Ltd. Kanagawa Jpn
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Hayashi Yuzo
Irie Koken Co. Ltd.
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Hayashi Y
Irie Koken Co. Ltd. Saitama Jpn
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馬場 俊彦
横浜国大 大学院工学府
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Tanaka S
International Superconductivity Technol. Center Tokyo Jpn
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Tanaka S
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
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Yatsui Kiyoshi
Extreme Energy Density Research Institute Nagaoka University Of Technology
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馬場 俊彦
横国大院工
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深津 茂人
慶應義塾大学理工学部
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八井 浄
Extreme Energy-density Research Institute Nagaoka University Of Technology
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斗内 政吉
阪大
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高橋 庸夫
Ntt物性科学基礎研究所 Siナノデバイス研究グループ
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馬場 俊彦
横浜国立大学大学院工学研究院:jst-crest
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鵜殿 治彦
茨城大
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吉田 隆
名大
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財満 鎭明
名古屋大学
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猪川 洋
静岡大学 電子工学研究所
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小野 行徳
Ntt
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阿山 みよし
宇都宮大学
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秋永 広幸
産総研ナノテク部門
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王 鎮
情通機構
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高橋 庸夫
NTT物性科学基礎研究所
-
阿山 みよし
宇都宮大オプティクス教育研究センター
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伊藤 公平
慶應義塾大学理工学部
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尾崎 雅則
阪大
著作論文
- 第51回応用物理学関係連合講演会(2004年)
- シリコン相補型単電子インバーター : V-PADOX法による作製とその特性評価
- 単電子デバイス用Siナノ構造の酸化
- 20aYC-4 シリコン二次元電子系における占有率4の倍数に沿った抵抗のリッジ(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
- 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
- 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
- パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
- Si単電子トランジスタの電圧利得と抵抗負荷型擬似nMOSインバータの性能解析
- Si単電子トランジスタの電圧利得と抵抗負荷型擬似nMOSインバータの性能解析
- シリコン相補型単電子インバーター : V-PADOX法による作製とその特性評価
- 単電子デバイス用Siナノ構造の酸化
- SiO_2中の拡散に与えるSi/SiO_2界面の影響
- 13pYB-6 シリコン二次元電子系のランダウ準位交差における抵抗スパイク(量子ホール効果, 領域 4)
- 28pYG-1 量子ホール領域におけるSIMOX MOSFETの温度と磁場依存性(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
- パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
- Si酸化膜中におけるB拡散とSi自己拡散の相関(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- シリコン細線MOS構造における素電荷の検出と転送
- SC-9-5 シリコン系量子効果デバイスと単電子デバイスの進展
- シリコン細線MOS構造における素電荷の検出と転送
- 単電子デバイスによる論理回路
- シリコン紬線MOS構造における素電荷の検出と転送
- 単電子パストランジスタ論理を用いた半加算器動作の実証
- 単電子パストランジスタ論理を用いた半加算器動作の実証