栗原 健二 | NTTアドバンステクノロジ株式会社
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概要
関連著者
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栗原 健二
NTTアドバンステクノロジ株式会社
-
永瀬 雅夫
Ntt物性科学基礎研究所
-
永瀬 雅夫
Ntt 物性科学基礎研
-
生津 英夫
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
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高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
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生津 英夫
Ntt 物性科学基礎研
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永瀬 雅夫
NTT物性基礎研
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山崎 謙治
NTT物性科学基礎研究所
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栗原 健二
NTT物性科学基礎研
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村瀬 克実
NTT物性科学基礎研究所
-
高橋 庸夫
NTT物性基礎研
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藤原 聡
Ntt物性科学基礎研究所
-
村瀬 克実
NTT LSI研究所
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永瀬 雅夫
NTT LSI研究所
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生津 英夫
NTT LSI研究所
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栗原 健二
NTT LSI研究所
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栗原 健二
Ntt Lsi研
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小野 行徳
NTT物性科学基礎研究所
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生津 英夫
NTT物性科学基礎研究所
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岩立 和己
Ntt Lsi研究所
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尾嶋 正治
東大工
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藤原 聡
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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小野 寛太
東大工
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山田 素久
東大院工
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山田 素久
東大工
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小野 寛太
総研大・高エ研
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尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科
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山口 徹
NTT物性科学基礎研
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竹中 久貴
NTT-AT
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石山 俊彦
Ntt Lsi研究所
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高橋 庸夫
北大
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高橋 庸夫
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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永瀬 雅夫
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
-
高橋 庸夫
北海道大学 大学院情報科学研究科
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高橋 庸夫
NTT LSI研究所
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牧野 孝裕
NTT LSI研究所
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竹中 久貴
Ntt-a
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栗原 健二
Nttアドバンステクノロジ株式会社営業本部
著作論文
- 24aE-8 ナノスケール磁性ドットアレイの作製と磁気特性
- シリコン相補型単電子インバーター : V-PADOX法による作製とその特性評価
- 単電子デバイス用Siナノ構造の酸化
- シリコンナノ構造でのパターン依存酸化現象の観察
- シリコン相補型単電子インバーター : V-PADOX法による作製とその特性評価
- 単電子デバイス用Siナノ構造の酸化
- Siナノデバイスにおける構造サイズ揺らぎの定量評価
- ECRプラズマ酸化によるナノパタン反転法とSi量子細線加工
- ECRプラズマ酸化によるナノパタン反転法とSi量子細線加工
- ナノインプリントリソグラフィーとモールド技術