単電子デバイス用Siナノ構造の酸化
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概要
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Si単電子デバイスの主要構成要素であるSOI基板上の酸化Siナノ構造を、原子間力顕微鏡(AFM)及び走査電子顕微鏡(SEM)を用いて評価した結果について述べる。原子間力顕微鏡(AFM)により酸化後の局所的なSi膜厚を評価した結果、ナノ構造の大きさ、形状により局所的な酸化速度が異なることを定量的に明らかにした。また、走査電子顕微鏡(SEM)では比較的高い加速電圧(30kV)で観察することにより酸化膜中の埋め込まれたSi構造の直接的な画像化に成功した。これらのAFM、SEMによる構造計測結果を統合することにより、Si単電子デバイスの三次元的構造が明確になる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-02-09
著者
-
永瀬 雅夫
NTT物性基礎研
-
藤原 聡
Ntt物性科学基礎研究所
-
山崎 謙治
NTT物性科学基礎研究所
-
高橋 庸夫
NTT物性基礎研
-
栗原 健二
NTT物性科学基礎研
-
永瀬 雅夫
Ntt物性科学基礎研究所
-
栗原 健二
NTTアドバンステクノロジ株式会社
-
高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
-
永瀬 雅夫
Ntt 物性科学基礎研
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