SIMOX基板におけるSi/SiO_2界面のモホロジー
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概要
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面方位(100)のSIMOX基板について、上部Si層, 埋込SiO_2膜界面のモホロジーをAFMにより検討した。酸素イオン注入後の熱処理で、上部Si層/SiO_2膜界面には、結晶面に規定された正方形状の構造が発現する。1350℃での熱処理を追加すると、最終的にはステップーテラス構造のモホロジーに移行する。一方、基板表面にCVD-SiO_2膜を形成してからアニールを施すと、不定形のモホロジーが現れる。本報では、モホロジーに及ぼすアニール雰囲気中の酸素の影響についても論じる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-04-21
著者
-
村瀬 克実
NTT物性科学基礎研究所
-
石山 俊彦
Ntt Lsi研究所
-
永瀬 雅夫
Ntt物性科学基礎研究所
-
村瀬 克実
NTT LSI研究所
-
永瀬 雅夫
NTT LSI研究所
-
永瀬 雅夫
Ntt 物性科学基礎研
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