Siプローブを用いたμ-Pseudo-MOS法によるSOI薄膜層評価の基礎検討(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
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概要
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本報告では、Silicon-on-Insulator (SOI)薄膜層の微小領域物性評価を想定した、シリコン・プローブを用いたマイクロPseudo-MOSFET (μΨ-MOSFET)の有効性を検証している。電流-電圧特性や電位分布をシミュレーションにより評価し、μΨ-MOSFETの実用可能性を検証している。シリコン・プローブを用いた場合、プローブとSOI薄膜層の接触電位の影響を考慮しても、プローブ間隔は約100nmまで縮小可能であることが示される。また、SOI薄膜層中の濃度分布やpn接合を検出可能であることが示される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-04-10
著者
-
永瀬 雅夫
NTT物性基礎研
-
永瀬 雅夫
Ntt物性科学基礎研究所
-
山本 泰己
関西大学 大学院工学研究科
-
大村 泰久
関西大学 大学院工学研究科
-
大村 泰久
関西大学大学院:関西大学・先端科学技術推進機構
-
永瀬 雅夫
Ntt 物性科学基礎研
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