極薄SOI MOSFETへのhigh-k材料導入法に関する検討(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

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概要

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自己加熱効果抑制の一手段は、埋め込み絶縁膜に熱伝導度の大きいhigh-k材料を導入することである。しかし、埋め込み絶縁膜へのhigh-k材料導入は、SOI MOSFETの動作特性を劣化させる。そこで、埋め込み絶縁膜にhigh-k材料を導入する際には、ゲート絶縁膜にもhigh-k材料を導入する必要があることを示す。一般に、埋め込み絶縁膜の全体をhigh-k材料で置き換えることは製法上用意ではない。そこで、トレンチアイソレーション技術を応用した、自己加熱効果抑制に効果的な新しいSOI MOSFET構造を提案する。この構造では、ソース及びドレインから基板方向に実効的な熱放散路を設けるので、素子全体の格子温度上昇を抑制することができることを示す。
2004-09-21

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