ナノスケールSOI MOSFETの閾値電圧シフトに対するバンド非放物線性の影響に関するモデルの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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近年、SOI層の薄層化に連れて量子効果の顕在化が議論されてきた。本報告では、従来の閉じ込め系のエネルギー準位に対してバンド非放物線性を考慮するモデルの検討結果と、これを用いてナノスケールSOI MOSFETの閾値電圧の実験結果を見直した結果を述べる。Si(或いはGe)を用いたSOI(或いはGOI) MOSFETにおいて半導体層厚が5nm以下の領域で閾値電圧の見積もりに大きな差が現われることを示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-11-06
著者
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