極薄ゲート絶縁膜への波動関数浸透を考慮したC-Vシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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極薄ゲート絶縁膜へ波動関数浸透がC-V特性に与える影響を考察するため、MOS界面近傍のキャリア分布の理論的なモデルを検討した。かなり精度の高い電子濃度分布の解析的な表現を得る事ができた。これを用いて、界面が多数キャリアの蓄積状態にある場合についてC-V特性をシミュレーションし、従来のシリコン酸化膜とhigh-k材料の差異・特徴について考察した。High-k材料の方が、動関数浸透が顕著であるために、MOS界面近傍でのキャリアのクーロン散乱が顕著に現れやすいことが明らかと成った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-22
著者
-
大村 泰久
関西大学システム理工学部
-
大村 泰久
関西大学大学院:関西大学先端科学技術推進機構
-
小宮 健治
関西大学大学院
-
中森 靖彦
関西大学大学院工学研究科
-
小宮 健治
関西大学ハイテクリサーチセンタ
-
大村 泰久
関西大学ハイテクリサーチセンタ
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