シミュレーションによるシリコン酸化膜の成長機構に関する検討
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
本報告では、一般的な電気炉によるSi熱酸化過程をシミュレーションにより解析した結果を述べる。ここでは、酸化反応時にストレス解放のために界面から放出されるシリコン原子の振る舞いを考慮したモデルを用いる。計算において、gas/SiO_2およびSiO_2/Si界面での酸素とシリコンの流れの境界条件と各層における酸素の拡散定数を適切に仮定する事によって、広い温度領域並びに初期酸化増大領域を含む広い時間領域において、実験的な補正を用いることなく実験結果を説明できることを示す。またシミュレーションにより酸化中の酸素とシリコンの分布を検証することによって、酸化過程を非定常状態として取り扱う必要があることの根拠を示す。
- 2001-09-21
著者
-
大村 泰久
関西大学大学院:関西大学先端科学技術推進機構
-
大村 泰久
関西大学大学院工学研究科ハイテクリサーチセンター
-
大村 泰久
関西大学大学院:関西大学・先端科学技術推進機構
-
南條 健史
関西大学大学院工学研究科 ハイテクリサーチセンター
-
小谷 泰実
関西大学大学院工学研究科 ハイテクリサーチセンター
-
南條 健史
関西大学大学院工学研究科ハイテクリサーチセンター
-
小谷 泰実
関西大学大学院工学研究科ハイテクリサーチセンター
関連論文
- 薄層SOIデバイスの性能、有用性と今後の展開の見通し : 20年前の議論、10年前の議論と現在の課題(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- GAA MOSFETの極限微細化指針の検討--モデルによるサブ30nmチャネルデバイスの実現性に関する考察 (シリコン材料・デバイス)
- Siプローブを用いたμ-Pseudo-MOS法によるSOI薄膜層評価の基礎検討(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- Siプローブを用いたμ-Pseudo-MOS法によるSOI薄膜層評価の基礎検討(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- Siプローブを用いたμ-Pseudo-MOS法によるSOI薄膜層評価の基礎検討(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- GAA-MOSFETの極限微細化指針の検討 : モデルによるサブ30nmチャネルデバイスの実現性に関する考察(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 急速酸化技術による極薄シリコン酸化膜の形成機構の検討
- ナノスケールSOI MOSFETの閾値電圧シフトに対するバンド非放物線性の影響に関するモデルの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 極薄シリコン層を有するSOI MOSFETにおける(001)面及び、(111)面のフォノン散乱電子移動度のモデル化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- High-k Gate絶縁膜を持つUnderlap Single-Gate極薄SOI MOSFETのデバイス特性とばらつきの抑制(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 極薄シリコン層を有するSOI MOSFETにおける(001)面及び、(111)面のフォノン散乱電子移動度のモデル化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- High-k Gate絶縁膜を持つUnderlap Single-Gate極薄SOI MOSFETのデバイス特性とばらつきの抑制(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 極微細SOI MOSFETにおけるソース・ドレイン設計法の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 極微細SOI MOSFETにおけるソース・ドレイン設計法の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- MOSFETにおけるキャリア・ホット化現象の理論的解析
- 通電ストレスによる破壊状態における極薄シリコン酸化膜伝導機構のモデル化と破壊状態の考察
- 極薄SOI MOSFETへのhigh-k材料導入法に関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 極薄SOI MOSFETへのhigh-k材料導入法に関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ソース・ドレーン領域に極薄SiN_x膜を形成したTFTドレーン電流の温度依存性(半導体材料・デバイス)
- シミュレーションによるシリコン酸化膜の成長機構に関する検討
- シミュレーションによるシリコン酸化膜の成長機構に関する検討
- 誘電体隔壁付き電界放出型電子源のシミュレーションによる動作特性評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 誘電体隔壁付き電界放出型電子源のシミュレーションによる動作特性評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 極薄ゲート絶縁膜への波動関数浸透を考慮したC-Vシミュレーション(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
- 極薄ゲート絶縁膜への波動関数浸透を考慮したC-Vシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ストレス条件とSILC特性の関係についての実験的考察とシミュレーションによるメカニズムの検討
- ストレス条件とSILC特性の関係についての実験的考察とシミュレーション結果によるメカニズムの検討
- ストレス条件とSILC特性の関係についての実験的考察とシミュレーション結果によるメカニズムの検討
- 急速酸化法を用いたシリコン表面における分圧酸化の機構の検討 : Silicon fragmentモデルによる解釈
- 極薄膜SOIデバイスにおける量子力学的効果と輸送現象(半導体エレクトロニクス)
- 低エネルギーLSI応用に向けたXCT-SOI CMOSの微細化指針に関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)