急速酸化法を用いたシリコン表面における分圧酸化の機構の検討 : Silicon fragmentモデルによる解釈
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概要
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本研究では、急速酸化技術の(Rapid Thermal Oxidation : RTO)による分圧酸化法を用いて形成されたシリコン酸化膜の形成機構を、Deal-GroveモデルとSilicon fragment モデルを用いて解析した。解析の結果、内部応力のようないくつかの問題を除いて、実験結果はSi fragment モデルで基本的に説明する事ができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-04-23
著者
-
大村 泰久
関西大学工学部電子工学科
-
大村 泰久
関西大学工学部
-
大村 泰久
関西大学大学院工学研究科ハイテクリサーチセンター
-
小谷 泰実
関西大学大学院工学研究科 ハイテクリサーチセンター
-
小谷 泰実
関西大学大学院工学研究科ハイテクリサーチセンター
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