[Invited]サブ100nm時代におけるSOIデバイスの可能性 : 新しい領域への挑戦(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
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概要
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ダブル・ゲートSOIデバイスの抱える問題点を述べ、従来の完全空乏化薄膜SOIデバイスの有効性を示す。完全空乏化SOIデバイスの微細化極限(最小チャネル長)の検討結果をあわせて示す。ナノ時代に検討すべきデバイスの例(TBJ SOI MOSFET, HOT SOI MOSFET)を紹介し,性能の見通しを述べる。最後に、デバイスの微細化と共に問題になっている配線遅延・高周波信号遮断などの課題を克服しうる解としての光デバイス応用へのSOI技術の展開を紹介する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-23
著者
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