大村 泰久 | 関西大学ordist・工学部
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概要
関連著者
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大村 泰久
関西大学ordist・工学部
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飯田 幸雄
関西大学ordist・工学部
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大村 泰久
関西大学工学部
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大村 泰久
関西大学システム理工学部
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飯田 幸雄
関西大学工学部
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富田 哲
関西大学システム理工学部
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中尾 公一
関西大学工学部
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大村 泰久
関西大学HRC工学部
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田村 進
関西大学ordist・工学部
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辻 正敬
関西大学HRC工学部
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飯田 幸雄
関西大学HRC工学部
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大村 泰久
関西大学工学部電子工学科
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宮崎 裕
関西大学システム理工学部
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大村 泰久
関西大学 大学院工学研究科
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舟本 典彦
関西大学工学部
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藤並 秀典
関西大学工学部電子工学科
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北畑 豊
関西大学工学部電子工学科
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北畑 豊
関西大学工学部
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藤並 秀典
関西大学工学部
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前田 裕
関西大学工学部
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飯田 幸雄
関西大学 工学部
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飯田 幸雄
関西大学システム理工学部
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木下 武
関西大学hrc工学部
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小林 秀樹
関西大学hrc工学部
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野原 彰展
関西大学システム理工学部
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富田 哲
関西大学 工学部
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東 栄治
関西大学 工学部
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亀田 圭司
関西大学 工学部
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前田 裕
関西大学システム理工学部
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松島 恭治
関西大学工学部先端情報電気工学科
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宮崎 裕
関西大学HRC工学部
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小川 芳史
関西大学HRC工学部
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木下 武
関西大学工学部電子工学科
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清水 彰
関西大学工学部電子工学科
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富田 洋輔
関西大学工学部電子工学科
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古賀 実
関西大学工学部電子工学科
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大村 泰久
関西大学大学院:関西大学先端科学技術推進機構
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大村 泰久
関西大学大学院:関西大学・先端科学技術推進機構
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清水 伸之
関西大学システム理工学部
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宮崎 裕
関西大学工学部
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野原 彰展
関西大学 工学部
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島田 博司
関西大学 工学部
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東 栄治
関西大学工学部
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富田 哲
関西大学工学部
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亀田 圭司
関西大学工学部
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田村 拓太
関西大学・大学院工学研究科
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名村 重男
関西大学・大学院工学研究科
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大村 泰久
関西大学・大学院工学研究科
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飯田 幸雄
関西大学・大学院工学研究科
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長山 洋子
関西大学hrc 工学部
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南條 健史
関西大学大学院工学研究科 ハイテクリサーチセンター
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小谷 泰実
関西大学大学院工学研究科 ハイテクリサーチセンター
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南條 健史
関西大学大学院工学研究科ハイテクリサーチセンター
-
小谷 泰実
関西大学大学院工学研究科ハイテクリサーチセンター
-
田村 進
関西大学システム理工学部
著作論文
- C-3-51 フォトニック結晶導波路によるシャープUターン構造リング共振器(フォトニック結晶)(C-3.光エレクトロニクス)
- 単一モード用シリコン導波路のための入出力端子構造の検討
- FDTDシミュレーション技術を用いた材料測定法に関する検討 : ミリ波帯金属表皮抵抗と半導体ウェハを含む誘電体板の測定(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- FDTDシミュレーション技術を用いた材料測定法に関する検討 : ミリ波帯金属表皮抵抗と半導体ウェハを含む誘電体板の測定(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- FDTDシミュレーション技術を用いた材料測定法に関する検討 : ミリ波帯金属表皮抵抗と半導体ウェハを含む誘電体板の測定
- A study on method of semiconductor materials measurement supported by accurate FDTD EM-field simulation in millimeter-wave range (安全・安心・快適な社会構築のための知能・感性・情報通信技術の応用プロジェクト)
- C-4-17 矩形空気孔を矩形格子状に配置したフォトニック結晶導波路に関する検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- CS-1-7 矩形空気孔を正方格子状に配置したシリコンフォトニック結晶スラブに形成した線欠陥導波路(CS-1.大規模電磁界解析への挑戦と事例紹介,シンポジウム)
- C-4-30 シリコン光スイッチにおける光ゲート構造の検討
- C-4-29 フォトニック結晶光導波路における欠陥誘起パスバンドの光チューニング
- B-1-110 準1次元フラクタル広帯域アンテナの励振源インピーダンスの検討(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般講演)
- A study of antenna efficiency measurements by Wheeler Cap method applied to planer inverted-F antenna (PIFA) (安全・安心・快適な社会構築のための知能・感性・情報通信技術の応用プロジェクト)
- One-dimensional fractal broadband antenna for demand expansion in RFID systems (安全・安心・快適な社会構築のための知能・感性・情報通信技術の応用プロジェクト)
- BS-1-13 フラクタル型広帯域アンテナに関する検討(BS-1.最新の広帯域・マルチバンドアンテナ技術,シンポジウム)
- B-1-141 小型アンテナの放射効率測定に関する検討(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般講演)
- C-2-99 RFID用小型アンテナの放射効率測定に関する検討(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-11-4 SOI MOSFET型ダイオードによるシェンケル回路の性能改善の検討(C-11. シリコン材料・デバイス, エレクトロニクス2)
- C-11-12 シリコン光導波路のFDTD法解析
- 反転層容量における量子力学的効果が準静的C-V特性による界面準位密度の評価に及ぼす影響
- シミュレーションによるシリコン酸化膜の成長機構に関する検討
- シリコン系材料による電子・光信号変換素子並びに論理演算素子に関する研究 (産学連携への掛け橋)
- 先端フォト・エレクトロン素子開発プロジェクト
- SOI構造の全光学的光スイッチの開発 (産学連携への掛け橋)
- [Invited]サブ100nm時代におけるSOIデバイスの可能性 : 新しい領域への挑戦(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]サブ100nm時代におけるSOIデバイスの可能性 : 新しい領域への挑戦(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- 先端フォト・エレクトロン素子開発プロジェクト
- SOI MOSFETにおける各端子間容量の特徴の考察
- チャージ・シェアモデルに基づくMOSFET/SOIの寄生容量解析
- SOI MOSFETの寄生容量におけるゲート酸化膜厚の移動度の影響の解析
- Silicon-on-insulator (SOI)構造デバイスと今後の課題
- 超薄層SOIpn接合デバイスにおける負性コンダクタンス特性の特徴
- LDD構造のサブ0.1μmチャネルnMOSFET/SIMOXにおけるホット・キャリアによる異常なgm劣化についての考察