シミュレーションによるシリコン酸化膜の成長機構に関する検討
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
本報告では、一般的な電気炉によるSi熱酸化過程をシミュレーションにより解析した結果を述べる。ここでは、酸化反応時にストレス解放のために界面から放出されるシリコン原子の振る舞いを考慮したモデルを用いる。計算において、gas/SiO_2およびSiO_2/Si界面での酸素とシリコンの流れの境界条件と各層における酸素の拡散定数を適切に仮定する事によって、広い温度領域並びに初期酸化増大領域を含む広い時間領域において、実験的な補正を用いることなく実験結果を説明できることを示す。またシミュレーションにより酸化中の酸素とシリコンの分布を検証することによって、酸化過程を非定常状態として取扱う必要があることの根拠を示す。
- 2001-09-21
著者
-
大村 泰久
関西大学システム理工学部
-
大村 泰久
関西大学大学院:関西大学先端科学技術推進機構
-
大村 泰久
関西大学ordist・工学部
-
大村 泰久
関西大学大学院:関西大学・先端科学技術推進機構
-
南條 健史
関西大学大学院工学研究科 ハイテクリサーチセンター
-
小谷 泰実
関西大学大学院工学研究科 ハイテクリサーチセンター
-
南條 健史
関西大学大学院工学研究科ハイテクリサーチセンター
-
小谷 泰実
関西大学大学院工学研究科ハイテクリサーチセンター
関連論文
- 薄層SOIデバイスの性能、有用性と今後の展開の見通し : 20年前の議論、10年前の議論と現在の課題(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- GAA MOSFETの極限微細化指針の検討--モデルによるサブ30nmチャネルデバイスの実現性に関する考察 (シリコン材料・デバイス)
- C-3-51 フォトニック結晶導波路によるシャープUターン構造リング共振器(フォトニック結晶)(C-3.光エレクトロニクス)
- 単一モード用シリコン導波路のための入出力端子構造の検討
- Siプローブを用いたμ-Pseudo-MOS法によるSOI薄膜層評価の基礎検討(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- Siプローブを用いたμ-Pseudo-MOS法によるSOI薄膜層評価の基礎検討(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- Siプローブを用いたμ-Pseudo-MOS法によるSOI薄膜層評価の基礎検討(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- GAA-MOSFETの極限微細化指針の検討 : モデルによるサブ30nmチャネルデバイスの実現性に関する考察(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- FDTDシミュレーション技術を用いた材料測定法に関する検討 : ミリ波帯金属表皮抵抗と半導体ウェハを含む誘電体板の測定(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- FDTDシミュレーション技術を用いた材料測定法に関する検討 : ミリ波帯金属表皮抵抗と半導体ウェハを含む誘電体板の測定(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- FDTDシミュレーション技術を用いた材料測定法に関する検討 : ミリ波帯金属表皮抵抗と半導体ウェハを含む誘電体板の測定
- A study on method of semiconductor materials measurement supported by accurate FDTD EM-field simulation in millimeter-wave range (安全・安心・快適な社会構築のための知能・感性・情報通信技術の応用プロジェクト)
- 1.マルチゲートFinFETのシミュレーション(32nm世代VLSIを担うMore Moore技術-三次元ゲートMOSFET-)
- 急速酸化技術による極薄シリコン酸化膜の形成機構の検討
- C-4-17 矩形空気孔を矩形格子状に配置したフォトニック結晶導波路に関する検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- CS-1-7 矩形空気孔を正方格子状に配置したシリコンフォトニック結晶スラブに形成した線欠陥導波路(CS-1.大規模電磁界解析への挑戦と事例紹介,シンポジウム)
- C-4-30 シリコン光スイッチにおける光ゲート構造の検討
- C-4-29 フォトニック結晶光導波路における欠陥誘起パスバンドの光チューニング
- B-1-110 準1次元フラクタル広帯域アンテナの励振源インピーダンスの検討(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般講演)
- A study of antenna efficiency measurements by Wheeler Cap method applied to planer inverted-F antenna (PIFA) (安全・安心・快適な社会構築のための知能・感性・情報通信技術の応用プロジェクト)
- One-dimensional fractal broadband antenna for demand expansion in RFID systems (安全・安心・快適な社会構築のための知能・感性・情報通信技術の応用プロジェクト)
- BS-1-13 フラクタル型広帯域アンテナに関する検討(BS-1.最新の広帯域・マルチバンドアンテナ技術,シンポジウム)
- B-1-141 小型アンテナの放射効率測定に関する検討(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般講演)
- C-2-99 RFID用小型アンテナの放射効率測定に関する検討(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-11-4 SOI MOSFET型ダイオードによるシェンケル回路の性能改善の検討(C-11. シリコン材料・デバイス, エレクトロニクス2)
- ナノスケールSOI MOSFETの閾値電圧シフトに対するバンド非放物線性の影響に関するモデルの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 極薄シリコン層を有するSOI MOSFETにおける(001)面及び、(111)面のフォノン散乱電子移動度のモデル化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- High-k Gate絶縁膜を持つUnderlap Single-Gate極薄SOI MOSFETのデバイス特性とばらつきの抑制(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 極薄シリコン層を有するSOI MOSFETにおける(001)面及び、(111)面のフォノン散乱電子移動度のモデル化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- High-k Gate絶縁膜を持つUnderlap Single-Gate極薄SOI MOSFETのデバイス特性とばらつきの抑制(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 極微細SOI MOSFETにおけるソース・ドレイン設計法の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 極微細SOI MOSFETにおけるソース・ドレイン設計法の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- MOSFETにおけるキャリア・ホット化現象の理論的解析
- C-11-12 シリコン光導波路のFDTD法解析
- 通電ストレスによる破壊状態における極薄シリコン酸化膜伝導機構のモデル化と破壊状態の考察
- 極薄SOI MOSFETへのhigh-k材料導入法に関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 極薄SOI MOSFETへのhigh-k材料導入法に関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ソース・ドレーン領域に極薄SiN_x膜を形成したTFTドレーン電流の温度依存性(半導体材料・デバイス)
- 反転層容量における量子力学的効果が準静的C-V特性による界面準位密度の評価に及ぼす影響
- シミュレーションによるシリコン酸化膜の成長機構に関する検討
- シミュレーションによるシリコン酸化膜の成長機構に関する検討
- 誘電体隔壁付き電界放出型電子源のシミュレーションによる動作特性評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 誘電体隔壁付き電界放出型電子源のシミュレーションによる動作特性評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 極薄ゲート絶縁膜への波動関数浸透を考慮したC-Vシミュレーション(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
- 極薄ゲート絶縁膜への波動関数浸透を考慮したC-Vシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ストレス条件とSILC特性の関係についての実験的考察とシミュレーションによるメカニズムの検討
- ストレス条件とSILC特性の関係についての実験的考察とシミュレーション結果によるメカニズムの検討
- ストレス条件とSILC特性の関係についての実験的考察とシミュレーション結果によるメカニズムの検討
- 急速酸化法を用いたシリコン表面における分圧酸化の機構の検討 : Silicon fragmentモデルによる解釈
- シリコン系材料による電子・光信号変換素子並びに論理演算素子に関する研究 (産学連携への掛け橋)
- 極薄膜SOIデバイスにおける量子力学的効果と輸送現象(半導体エレクトロニクス)
- 先端フォト・エレクトロン素子開発プロジェクト
- SOI構造の全光学的光スイッチの開発 (産学連携への掛け橋)
- [Invited]サブ100nm時代におけるSOIデバイスの可能性 : 新しい領域への挑戦(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]サブ100nm時代におけるSOIデバイスの可能性 : 新しい領域への挑戦(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- 先端フォト・エレクトロン素子開発プロジェクト
- SOI MOSFETにおける各端子間容量の特徴の考察
- チャージ・シェアモデルに基づくMOSFET/SOIの寄生容量解析
- SOI MOSFETの寄生容量におけるゲート酸化膜厚の移動度の影響の解析
- Silicon-on-insulator (SOI)構造デバイスと今後の課題
- 超薄層SOIpn接合デバイスにおける負性コンダクタンス特性の特徴
- LDD構造のサブ0.1μmチャネルnMOSFET/SIMOXにおけるホット・キャリアによる異常なgm劣化についての考察
- 血液脈波信号処理に基づくアルコール摂取状態検知手法の研究 : 高信頼度の飲酒運転防止センサの開発を目標として
- 血液脈波信号処理に基づくアルコール摂取状態検知手法の研究 : 高信頼度の飲酒運転防止センサの開発を目標として
- 低エネルギーLSI応用に向けたXCT-SOI CMOSの微細化指針に関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)