GAA-MOSFETの極限微細化指針の検討 : モデルによるサブ30nmチャネルデバイスの実現性に関する考察(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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サブ30nm-Si細線Gate-All-Around(GAA) MOSFET設計の実現可能性を考察するために指針に関する簡単なモデルを提案する。提案したモデルではフィッティングパラメータを用いているが、過去のシミュレーション結果を首尾良く再現している。この報告ではフィッティングパラメータを物理学的に考察し、提案したモデルの有用性を明らかにする。
- 2010-11-04
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