低エネルギーLSI応用に向けたXCT-SOI CMOSの微細化指針に関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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Cross-Current Tetrode(XCT)SOI CMOSの応用開拓のために、XCT-SOI-CMOSの低エネルギー動作特性の特徴を紹介し、合わせて微細化指針に関する検討を提案する。XCT-SOI CMOSと従来のSOI CMOSの特性を比較し、XCT-SOI-CMOSが低エネルギー化に適した素子であることを示す。待機時消費電力の抑制を進めるため、3次元デバイスシミュレータを用いて、ソース/ドレインの不純物濃度分布の影響を計算で評価した結果を報告し、極限微細化に向けた性能見通しを示す。
- 2012-11-08
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