MOSFETにおけるキャリア・ホット化現象の理論的解析
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概要
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本報告では、MOSFETにおけるキャリア・ホット化現象を理論的に見直し、特徴的なケースについて解析を行っている。横方向電界(ドレイン電界)によるキャリアホット化現象について、長チャネル用の既存のモデルを見直すことにより、短チャネルデバイスにも適用できる新たな結果を得た。特に、従来の結果では電子温度は横方向電界にのみ依存するとされてきたが、本報告では、電子温度が横方向電界のみならず、キャリア濃度にも依存する事を明らかにしている。更に上記の結果を用いて、極薄膜MOSFET, SOIデバイスにおいて、シリコン層の薄層化に伴う基板電流の減少傾向、ゲート電流の減少傾向を的確に説明できることを示している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-07-26
著者
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