極微細SOI MOSFETにおけるソース・ドレイン設計法の検討(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

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概要

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サブ100nmチャネル長領域においては、ソース・ドレインにおける横方向の不純物分布がデバイス特性に強く影響を与えると考えられる。本報告ではデバイスシミュレーションを用いてチャネル内最大電子速度(V_max)としきい値電圧(V_th)を導出して不純物の横方向分布がもたらす影響について検討した結果を述べる。横方向への不純物拡散は特にチャネル長20nm領域でデバイス特性に大きく影響を及ぼすことが示される。横拡散長の最適化を行った結果、デバイス縮小によって与えられる正味の性能向上が限定的であることが示される。また、high-k材料やSb,Inといった新しい不純物原子の導入が不可欠であることも述べる。
社団法人電子情報通信学会の論文
2002-09-23

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