SOI MOSFETの寄生容量におけるゲート酸化膜厚の移動度の影響の解析

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概要

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• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1998-03-06

著者

• 大村 泰久

  関西大学ordist・工学部

• 大村 泰久

  関西大学工学部

• 舟本 典彦

  関西大学工学部

• 藤並 秀典

  関西大学工学部電子工学科

• 北畑 豊

  関西大学工学部電子工学科

• 北畑 豊

  関西大学工学部

• 藤並 秀典

  関西大学工学部

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