C-11-4 SOI MOSFET型ダイオードによるシェンケル回路の性能改善の検討(C-11. シリコン材料・デバイス, エレクトロニクス2)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-03-07
著者
-
飯田 幸雄
関西大学ordist・工学部
-
大村 泰久
関西大学ordist・工学部
-
田村 拓太
関西大学・大学院工学研究科
-
名村 重男
関西大学・大学院工学研究科
-
大村 泰久
関西大学・大学院工学研究科
-
飯田 幸雄
関西大学・大学院工学研究科
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