LDD構造のサブ0.1μmチャネルnMOSFET/SIMOXにおけるホット・キャリアによる異常なgm劣化についての考察
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概要
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本報告では、0.04μmチャネルnMOSFET/SIMOXにおけるホット・キャリアによる異常なgm劣化についてその物理的背景を議論すると共に、この現象力LDD構造に深く係わっていることを示す。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
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