SOI MOSFETにおける各端子間容量の特徴の考察
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概要
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チャージシートモデルに基づき部分空乏型SOI MOSFETの端子間容量を解析した.SOI構造の特徴は各端子の対基板間容量に現れ, それらの容量は埋込み酸化膜とその界面の空乏層容量が直列接続となるために著しく減少することが明らかとなった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-08-25
著者
-
大村 泰久
関西大学ordist・工学部
-
大村 泰久
関西大学工学部
-
舟本 典彦
関西大学工学部
-
藤並 秀典
関西大学工学部電子工学科
-
北畑 豊
関西大学工学部電子工学科
-
北畑 豊
関西大学工学部
-
藤並 秀典
関西大学工学部
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