大村 泰久 | 関西大学工学部
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概要
関連著者
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大村 泰久
関西大学工学部
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大村 泰久
関西大学ordist・工学部
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大村 泰久
関西大学工学部電子工学科
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大村 泰久
関西大学システム理工学部
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飯田 幸雄
関西大学工学部
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飯田 幸雄
関西大学ordist・工学部
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大村 泰久
関西大学大学院:関西大学先端科学技術推進機構
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小宮 健治
関西大学大学院
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小宮 健治
関西大学工学部電子工学科
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舟本 典彦
関西大学工学部
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藤並 秀典
関西大学工学部電子工学科
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北畑 豊
関西大学工学部電子工学科
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北畑 豊
関西大学工学部
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藤並 秀典
関西大学工学部
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前田 裕
関西大学工学部
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佐藤 伸吾
関西大学 大学院工学研究科
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大村 泰久
関西大学大学院:関西大学・先端科学技術推進機構
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河本 章宏
関西大学工学部
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佐藤 伸吾
関西大学工学部
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大村 泰久
関西大学 大学院工学研究科:関西大学・先端科学技術推進機構
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青柳 誠司
関西大学工学部
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前田 裕
関西大学システム理工学部
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青柳 誠司
関西大学システム理工学部機械工学科
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多川 則男
関西大学 システム理工学部機械工学科
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多川 則男
関西大学工学部
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松島 恭治
関西大学工学部先端情報電気工学科
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木下 武
関西大学hrc工学部
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木下 武
関西大学工学部電子工学科
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清水 彰
関西大学工学部電子工学科
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宮崎 裕
関西大学システム理工学部
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富田 洋輔
関西大学工学部電子工学科
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富田 哲
関西大学システム理工学部
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古賀 実
関西大学工学部電子工学科
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大村 泰久
関西大学大学院工学研究科ハイテクリサーチセンター
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青柳 誠司
金沢大学工学部
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宮崎 裕
関西大学工学部
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亀田 圭司
関西大学 工学部
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東 栄治
関西大学工学部
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富田 哲
関西大学工学部
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亀田 圭司
関西大学工学部
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岡田 直樹
関西大学工学部電子工学科
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岡 崇
関西大学工学部電子工学科
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小谷 泰実
関西大学大学院工学研究科 ハイテクリサーチセンター
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小谷 泰実
関西大学大学院工学研究科ハイテクリサーチセンター
著作論文
- 単一モード用シリコン導波路のための入出力端子構造の検討
- テラビット級超高密度情報記憶ストレージのナノテクノロジー開発
- CS-1-7 矩形空気孔を正方格子状に配置したシリコンフォトニック結晶スラブに形成した線欠陥導波路(CS-1.大規模電磁界解析への挑戦と事例紹介,シンポジウム)
- C-2-99 RFID用小型アンテナの放射効率測定に関する検討(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- 極微細SOI MOSFETにおけるソース・ドレイン設計法の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 極微細SOI MOSFETにおけるソース・ドレイン設計法の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 通電ストレスによる破壊状態における極薄シリコン酸化膜伝導機構のモデル化と破壊状態の考察
- 反転層容量における量子力学的効果が準静的C-V特性による界面準位密度の評価に及ぼす影響
- ストレス条件とSILC特性の関係についての実験的考察とシミュレーション結果によるメカニズムの検討
- ストレス条件とSILC特性の関係についての実験的考察とシミュレーション結果によるメカニズムの検討
- 急速酸化法を用いたシリコン表面における分圧酸化の機構の検討 : Silicon fragmentモデルによる解釈
- シリコン系材料による電子・光信号変換素子並びに論理演算素子に関する研究 (産学連携への掛け橋)
- 先端フォト・エレクトロン素子開発プロジェクト
- [Invited]サブ100nm時代におけるSOIデバイスの可能性 : 新しい領域への挑戦(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]サブ100nm時代におけるSOIデバイスの可能性 : 新しい領域への挑戦(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- 先端フォト・エレクトロン素子開発プロジェクト
- SOI MOSFETにおける各端子間容量の特徴の考察
- チャージ・シェアモデルに基づくMOSFET/SOIの寄生容量解析
- SOI MOSFETの寄生容量におけるゲート酸化膜厚の移動度の影響の解析
- Silicon-on-insulator (SOI)構造デバイスと今後の課題
- 超薄層SOIpn接合デバイスにおける負性コンダクタンス特性の特徴