大村 泰久 | 関西大学大学院:関西大学・先端科学技術推進機構
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概要
関連著者
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大村 泰久
関西大学大学院:関西大学・先端科学技術推進機構
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大村 泰久
関西大学大学院:関西大学先端科学技術推進機構
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大村 泰久
関西大学 大学院工学研究科
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大村 泰久
関西大学システム理工学部
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佐藤 伸吾
関西大学 大学院工学研究科
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小宮 健治
関西大学大学院
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大村 泰久
関西大学 大学院工学研究科:関西大学・先端科学技術推進機構
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永瀬 雅夫
NTT物性基礎研
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永瀬 雅夫
Ntt物性科学基礎研究所
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山本 泰己
関西大学 大学院工学研究科
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永瀬 雅夫
Ntt 物性科学基礎研
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大村 泰久
関西大学工学部電子工学科
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大村 泰久
関西大学工学部
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山村 毅
関西大学 大学院工学研究科
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吉岡 由雅
関西大学 大学院
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河本 章宏
関西大学工学部
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佐藤 伸吾
関西大学工学部
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大村 泰久
関西大学大学院工学研究科
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村島 健介
関西大学大学院
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川本 敏貴
関西大学大学院工学研究科
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南條 健史
関西大学大学院工学研究科 ハイテクリサーチセンター
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小谷 泰実
関西大学大学院工学研究科 ハイテクリサーチセンター
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南條 健史
関西大学大学院工学研究科ハイテクリサーチセンター
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小谷 泰実
関西大学大学院工学研究科ハイテクリサーチセンター
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大倉 健作
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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松尾 直人
兵庫県立大学
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部家 彰
兵庫県立大学物質系
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横山 新
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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部家 彰
石川県工試
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松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
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松尾 直人
兵庫県立大学工学研究科
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部家 彰
兵庫県立大学工学研究科
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大村 泰久
関西大学ordist・工学部
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大村 泰久
関西大学大学院工学研究科ハイテクリサーチセンター
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仲野 駿佑
関西大学大学院
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京兼 大輔
関西大学大学院工学研究科
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大村 泰久
NTT LSI研究所
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横山 新
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
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横山 新
広島大・ナノデバイス・バイオ融合研:広島大院・先端・生命機能
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部家 彰
兵庫県立大学大学院工学研究科
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小林 孝裕
兵庫県立大学大学院工学研究科
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栃尾 貴之
関西大学大学院理工学研究科
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大倉 健作
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
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松尾 直人
兵庫県立大学工学部
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佐藤 大貴
関西大学大学院理工学研究科
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大村 泰久
関西大学大学院理工学研究科:関西大学・先端科学技術推進機構
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部家 彰
兵庫県立大学大学院
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小林 孝裕
兵庫県立大学大学院
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部家 彰
兵庫県立大学 大学院工学研究科
著作論文
- 薄層SOIデバイスの性能、有用性と今後の展開の見通し : 20年前の議論、10年前の議論と現在の課題(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- GAA MOSFETの極限微細化指針の検討--モデルによるサブ30nmチャネルデバイスの実現性に関する考察 (シリコン材料・デバイス)
- Siプローブを用いたμ-Pseudo-MOS法によるSOI薄膜層評価の基礎検討(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- Siプローブを用いたμ-Pseudo-MOS法によるSOI薄膜層評価の基礎検討(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- Siプローブを用いたμ-Pseudo-MOS法によるSOI薄膜層評価の基礎検討(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- GAA-MOSFETの極限微細化指針の検討 : モデルによるサブ30nmチャネルデバイスの実現性に関する考察(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ナノスケールSOI MOSFETの閾値電圧シフトに対するバンド非放物線性の影響に関するモデルの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 極薄シリコン層を有するSOI MOSFETにおける(001)面及び、(111)面のフォノン散乱電子移動度のモデル化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- High-k Gate絶縁膜を持つUnderlap Single-Gate極薄SOI MOSFETのデバイス特性とばらつきの抑制(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 極薄シリコン層を有するSOI MOSFETにおける(001)面及び、(111)面のフォノン散乱電子移動度のモデル化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- High-k Gate絶縁膜を持つUnderlap Single-Gate極薄SOI MOSFETのデバイス特性とばらつきの抑制(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 極微細SOI MOSFETにおけるソース・ドレイン設計法の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 極微細SOI MOSFETにおけるソース・ドレイン設計法の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- MOSFETにおけるキャリア・ホット化現象の理論的解析
- 極薄SOI MOSFETへのhigh-k材料導入法に関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 極薄SOI MOSFETへのhigh-k材料導入法に関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ソース・ドレーン領域に極薄SiN_x膜を形成したTFTドレーン電流の温度依存性(半導体材料・デバイス)
- シミュレーションによるシリコン酸化膜の成長機構に関する検討
- シミュレーションによるシリコン酸化膜の成長機構に関する検討
- 誘電体隔壁付き電界放出型電子源のシミュレーションによる動作特性評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 誘電体隔壁付き電界放出型電子源のシミュレーションによる動作特性評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 極薄膜SOIデバイスにおける量子力学的効果と輸送現象(半導体エレクトロニクス)
- 低エネルギーLSI応用に向けたXCT-SOI CMOSの微細化指針に関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)